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稳压管和MOS管降压电路问题

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楼主

大伙帮我看一下,我这电路能否输出60V/10mA,两个问题
1. R4用5.1M会不会太大了,如果用小静态功耗又太大了
2. MOS的gs之间是否有必要加稳压管和电阻


评论

xch 2019-11-3 19:56 回复TA
二弟,这里有两个R4 ,哪个是孙悟空,哪个是六耳猕猴? 
沙发
| 2019-11-2 10:10 | 只看该作者
这么复杂何苦呢?
换个思路,我不就是只需要降压20V吗,而且电流这么小,用一个稳压管直接串联在80V-60V回路,稳压管消耗不过20V*10mA=0.2瓦,一个0.5的稳压管妥妥的。为了防止空载电压过分飘高,60V端加个死负载,当然越大越好。
板凳
| 2019-11-2 10:11 | 只看该作者
功耗计算: P约等于=(80-60)*0.010=0.2W。to252封装,热阻通常是52左右,温升=52*0.2=10.5 。能用。
如果用sot-23,热阻取480 温升20*480=96,很烫。
地板
 楼主 | 2019-11-2 10:23 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-11-2 10:10
这么复杂何苦呢?
换个思路,我不就是只需要降压20V吗,而且电流这么小,用一个稳压管直接串联在80V-60V回 ...

谢谢,这里第2点,稳压管和电阻不加会不会有问题,有没有可能GS压差到60V
5
| 2019-11-2 10:26 | 只看该作者
本帖最后由 叶春勇 于 2019-11-2 10:30 编辑


根据datasheet,保证稳压下限53.2 R=80-53.2  /2.2 =12k 上限58.8v R=9.6k。
R的功耗=(80-53.2)*(80-53.2)/12000=0.06w
稳压二极管功耗=53.2*2.2=0.117w 热阻340 温升有40度,应该烫手了。注意焊盘画法
R4=应大于12k
   
6
| 2019-11-2 10:27 | 只看该作者
gs之间加稳压二极管,常规手法。没什么问题
7
| 2019-11-2 12:24 | 只看该作者
R4用5.1M,R8用100k,你算算MOS管的GS电压能有多少?
8
| 2019-11-2 12:27 | 只看该作者
“有没有可能GS压差到60V”
如果正常工作中,突然短路输出端,有可能有这种状态。
9
| 2019-11-2 12:29 | 只看该作者
R8可以不要的。
10
| 2019-11-2 21:55 | 只看该作者
本帖最后由 king5555 于 2019-11-2 21:57 编辑

只是降20V用2楼。大略的穏压用原图,但R4过大,需配合ZD63V所需电流。R8不加。
11
 楼主 | 2019-11-3 09:16 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-11-2 21:55
只是降20V用2楼。大略的穏压用原图,但R4过大,需配合ZD63V所需电流。R8不加。 ...

感觉gs这里有点悬,VGS的电压在某种情况下可能达到60V压差,把GS击穿
12
| 2019-11-3 11:30 | 只看该作者
本帖最后由 tianxj01 于 2019-11-3 11:32 编辑
king5555 发表于 2019-11-2 21:55
只是降20V用2楼。大略的穏压用原图,但R4过大,需配合ZD63V所需电流。R8不加。 ...

这楼主估计看不懂回复,就只钻在MOS降压方面了,有捷径而且更简单,他没有任何回应,如果说需求不是他说的只是降低20v,而是需要对输出粗略的稳压,这线路讨论才有意义不是?可他也没提出任何别的需求,现在这样的技术太多了,说不清事...................且说哪怕需要稳压,0.2W的功耗,一个NPN,在这比MOS好用多了,精度也高了,至于钻到非MOS不可呢,还复杂的一笔..........
13
| 2019-11-3 13:11 | 只看该作者
tianxj01 发表于 2019-11-3 11:30
这楼主估计看不懂回复,就只钻在MOS降压方面了,有捷径而且更简单,他没有任何回应,如果说需求不是他说的 ...

顺便请教您,还类MOS管的Vgs,有像NPN三极管的Vbe比较恆定吗?比如说三极管Ic相差十倍而Vbe相差约0.3V以下(这里大约值不讲精准)。那么MOS管的Id相差十倍时,Vgs可能相差达到多少?
14
| 2019-11-3 13:20 | 只看该作者
cctv19881023 发表于 2019-11-3 09:16
感觉gs这里有点悬,VGS的电压在某种情况下可能达到60V压差,把GS击穿

你已经在G丶S并联了ZD限压,我只看型号不晓得其稳压值。通常Vgs不得超过20v,还需要看MOS规格书,保险一点Vzd会用的更小,比实际所需Vds(与最大汲极电流有关)大一些即可。
详情可参考2楼t先生,他比較有经验。
15
| 2019-11-3 14:57 | 只看该作者
king5555 发表于 2019-11-3 13:11
顺便请教您,还类MOS管的Vgs,有像NPN三极管的Vbe比较恆定吗?比如说三极管Ic相差十倍而Vbe相差约0.3V以下 ...

从全电流范围来说还真没有,这是由基本原理造成的重大区别。
一个的电场效应的器件,没有正比的电场,就没有正比的穿越导通能力。而很明显,从开启电压开始,有效电场是和电压成正比的。
但是在开启电压附近,也就是小电流工作时候,其实因为电流绝对值小,所以,对于栅极电压的变化而言,其值远小于开启电压本身,所以,这时候,你说来个IDS差10倍,Vgs差可能才0.1V而已。所以,在开启电压附近,尤其是电流绝对值比较小时候,其VGS变化的绝对值,甚至可以好于三极管。
一个是BE结电流控制器件,依靠正向流过的BE电流控制(说是诱拐也成)更大的反向偏置结穿透过来而成。而BE结特性决定了在全电流范围,BE结电压只能改变很小比例。
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